Слаботочные зарядные устройства
Рис. 14.19. Схема зарядного устройства для заряда батареи напряжением 12В
Простое зарядное устройство [14.8] для заряда батареи напряжением 12 В может быть выполнено на основе микросхемы типа LM117 (рис. 14.19). Выходное сопротивление устройства определяется величиной резистора Rs.
Схема другого зарядного устройства [14.8] с ограничителем зарядного тока на уровне 600 мА (при сопротивлении резистора R3=1 Ом) для заряда 6 В батареи изображена на рис. 14.20.
Рис. 14.20. Схема зарядного устройства с ограничением зарядного тока
Рис. 14.21. Схема зарядного устройства для аккумуляторов ЦНК-0.45
В схеме зарядного устройства (рис. 14.21) для заряда аккумуляторов типа ЦНК-0.45 использован стабилизатор тока на микросхеме типа КР142ЕН5А [14.9]. Ток заряда (50…55 мА) задано сопротивлением резистора R1: на этом сопротивлении падает вно 5 В, следовательно, ток, протекающий через последовательную цепочку из заряжаемого аккумулятора и генератора стабильного тока на основе микросхемы DA1 составляет (Б)/120 (Ом)=45+\с (мА), где 1С=5…10 мА – ток собственного потребления микросхемы. Реально ток будет выше указанного значения еще на 3 мА, поскольку в расчетах не учтен ток через светодиодный индикатор HL1, индицирующий работу устройства.
Напряжение на конденсаторе фильтра С1 должно быть порядка 15…25 В.
При использовании стабилизаторов на большее выходное напряжение величину резистора R1 следует изменить (в сторону увеличения).
Устройство можно практически без переделок использовать на иные зарядные токи, вплоть до 1 А. Для этого потребуется подбор резистора R1 и, при необходимости, использование радиатора для микросхемы DA1.
Зарядное устройство (см. рис. 14.22) питают выпрямленным напряжением 12 В [14.10]. Сопротивление токоограничительных резисторов рассчитывают по формуле: R=UCT/I, где UCT – выходное напряжение стабилизатора; I – зарядный ток. В рассматриваемом случае UCT=1.25 Б; соответственно, сопротивление резисторов таково: R1=1.25/0.025=50 О/и, R2=1.25/0.0125=100 Ом. В расчетах не учтен ток собственного потребления микросхемы (см. выше), который может составлять 5… 10 мА.