Директивы моделирования
Выходные переменные
Опишем, как составляются имена выходных переменных, используемых в директивах .PRINT, .PLOT и .PROBE. В разных видах анализа имена несколько различаются.
Режимы DC и TRAN
При расчете режима по постоянному току и переходных процессов используются выходные переменные, приведенные в табл. 4.9.
Таблица 4.9. Выходные переменные при анализе переходных процессов.
| Общая форма | Пример | Пояснение |
|---|---|---|
| V(<узел>) | V(2) | Потенциал узла |
| V(<+узел>, <-узел>) | V(2.4) | Разность потенциалов узла |
| V(<имя>) | V(R1) | Разность потенциалов между выводами двухполюсного компонента |
| Vх(<имя>) | VB(Q1) | Потенциал вывода многополюсного компонента |
| Vу(<имя>) | VCE(Q3) | Разность потенциалов между выводами многополюсного компонента |
| Vxy(<имя>) | VA(T2) | Напряжение на входе или выходе линии передачи (z = A – вход, z = В – выход) |
| I(<имя>) | K(D5) | Ток через двухполюсный компонент |
| Iх(<имя>) | IB(Q1) | Ток через указанный вывод многополюсного компонента |
| Iz(<имя>) | IA(T3) | Ток через входные или выходные зажимы линии передачи (z = A – вход, z = В – выход) |
В спецификации переменных V(<uмя>), I(<имя>) параметр <имя> указывает на один из двухполюсных компонентов, имена которых начинаются со следующих букв: С – конденсатор; D – диод; Е – ИНУН; F – ИТУТ; G – ИТУН; Н – ИНУТ; I – независимый источник тока; L – индуктивность; R – резистор; S – ключ, управляемый напряжением; V – независимый источник напряжения; W – ключ, управляемый током.
В спецификациях переменных Vх(<имя>), Vху(<имя>) и х(<имя>) параметр <имя> указывает имя трехполюсного или четырехполюсного компонента, а х и у – аббревиатуры их выводов (см. табл. 4.10).
Таблица 4.10. Имена трех- и четырехполюсных компонентов.
| Первая буква имени | Компонент | Аббревиатура вывода |
|---|---|---|
| В | Арсенид-галлиевый полевой транзистор | D (сток) G (затвор) S (исток) |
| J | Полевой транзистор | D (сток) G (затвор) S (исток) |
| М | МОП-транзистор | D (сток) G (затвор) S (исток) В (подложка) |
| Q | Биполярный транзистор | С (коллектор) В (база) Е (эмиттер) S (подложка) |
| Т | Линия передачи | VA (входное напряжение) IA (входной ток) VB (выходное напряжение) IB (выходной ток) |
| Z | Статически индуцированный биполярный транзистор | С (коллектор) G (затвор) Е (эмиттер) |
Например, напряжение коллектор – база транзистора Q3 обозначается как VCB(Q3). В спецификациях переменных VZ(<UMH>), Iz(<имя>) в качестве параметра <имя> указывается имя линии передачи (начинается с буквы Т), а символ 2 принимает два значения: А – вход, В – выход линии передачи.