Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.
Диод описывается предложением:
Dxxx <узел анода> <узел катода> <имя модели> + [<коэффициент кратности Area>]Модель диода задается в виде:
.MODEL <имя модели> D[(параметры модели)}Пример 1
Включим между узлами 1 и 2 диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL:
D1 12 D9B .MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)Пример 2
Включим между узлами 1 и 2 диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib:
D1 1 2D104A.LIB D.LIBБиполярный транзистор описывается предложением:
Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Area>]Модели биполярных транзисторов задаются в виде:
.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)} .MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)} .MODEL <имя модели> LPNP [(параметры модели)]Статически индуцированный биполярный транзистор описывается предложением:
Zxxx <узел коллектора> <узел затвора> <узел эмиттера>+ <имя модели> [AREA=<значение>] [WB-<значение>] + [AGD=<значение>] [KP=<значение>] [TAU=<значение>]Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7]. Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде:
.MODEL <имя модели> NIGBT [(параметры модели)]Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом описывается предложением:
3xxx <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Area>]Модели полевых транзисторов задаются в виде:
.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)] .MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]Арсенид-галлиевый полевой транзистор с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением:
Exxx <узел стока><узел затвора><узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Area>]Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде.MODEL <имя модели> GASFET [(параметры модели)] МОП-транзистор описывается предложением:
Mxxx <узел стока><узел затеора><узел истока> <узел подложки> + <имя модели>+ [L=<значение>] [W=<значение>] [AD=<значение>] [AS=<значение>] + [PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>] + [NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [M=<значение>]Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.
Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS (см. разд. 4.1).
Модели МОП-транзисторов задаются в виде:
.MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)] .MODEL <имя модели> PMOS[(параметры модели)]Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора.
| Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Размерность |
|---|---|---|---|
| L | Длина канала | DEFL | м |
| W | Ширина канала | DEFW | м |
| AD | Площадь диффузионной области стока | DEFAD | м |
| AS | Площадь диффузионной области истока | DEFAS | м |
| PD | Периметр диффузионной области стока | 0 | м |
| PS | Периметр диффузионной области истока | 0 | м |
| NRD | Удельное относительное сопротивление стока | 1 | |
| NRS | Удельное относительное сопротивление истока | 1 | |
| NRG | Удельное относительное сопротивление затвора | 0 | |
| NRB | Удельное относительное сопротивление подложки | 0 | |
| M | Масштабный коэффициент | 1 |