Иллюстрированный самоучитель по OrCAD

Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor

По команде Plot › Trace Add возможно построить семейство характеристик при нескольких значениях температуры. По умолчанию предлагается построить графики характеристик при изменении температуры (рис. 5.8). Имя варьируемой переменной изменяется по команде Plot › Axis Settings на панели Trace Variable. Например, для диодов возможна вариация параметров М, CJO, VJ и FC.

Иллюстрированный самоучитель по OrCAD › Вспомогательные программы › Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor
Рис. 5.8. Построение температурных зависимостей

Построение модели завершается командой записи обновленных данных в библиотечный файл File › Save.

Далее приведем списки вводимых паспортных данных для компонентов, включенных в программу Model Editor, и перечень параметров их математических моделей. Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Model Editor; им по умолчанию присваиваются типичные значения.

Диоды

Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.5.

Таблица 5.5. Диоды.

Символы данных Справочные данные Параметры модели
Имя Значение по умолчанию
Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ)
Vfwd, Ifwd Координаты точек ВАХ диода IS RS 10-4 А 0.1 Ом
    N 1
    IKF 0
    XTI* 3
    EG* 1.11 В
Junction Capacitance (Барьерная емкость)
Vrev, Cj Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения CJO
VJ
М
1 пФ
0.75 В
0.3333
    FC* -0.5 В
Reverse Leakage (Сопротивление утечки)
Vrev, Irev Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения ISR NR 100 пА2
Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации)
Vz Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz BV
IBV
100 В
100 мкА
Iz Ток пробоя (стабилизации)
Zz Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)
Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда)
Trr Время рассасывания носителей заряда ТТ 5 не
Ifwd Ток диода в прямом направлении до переключения
Irev Обратный ток диода после переключения
Rl Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)
Если Вы заметили ошибку, выделите, пожалуйста, необходимый текст и нажмите CTRL + Enter, чтобы сообщить об этом редактору.