Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor
Статически индуцированный биполярный транзистор
Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.
Таблица 5.7. Статически индуцированные биполярные транзисторы.
| Символы данных | Справочные данные | Параметры модели | |
|---|---|---|---|
| Имя | Значение по умолчанию | ||
| Fall Time (Время спада) | |||
| Icmax | Абсолютное значение максимального тока коллектора при температуре 25 °C | AGD AREA TAU |
5*10-5 см2 5*10-6 м2 7.1 мкс |
| Bvces | Абсолютное значение максимального напряжения пробоя коллектор-эмиттер при коротком замыкании затвор-эмиттер | ||
| tf | Время спада тока коллектора при индуктивной нагрузке при заданных значениях Ic, Vce | ||
| Ic | Ток коллектора | WB | 9*10-5 м |
| Vce | Напряжение коллектор-эмиттер | ||
| Transfer Characteristics (Проходная характеристика) | |||
| Vge, Ic | Зависимость тока коллектора 1с от смещения затвор-эмиттер Vge | КР VT |
0.38 А/В2 2 В |
| Saturation Characteristics (Характеристики насыщения) | |||
| Vce, Ic | Зависимость тока коллектора 1с от напряжения коллектор-эмиттер Vce в режиме насыщения | KF | 1 А/В2 |
| Vge | Напряжение затвор-эмиттер, при котором проведены измерения | ||
| Gate Charge (Заряд области затвора) | |||
| Qge | Заряд области затвор-эмиттер в состоянии "включено" | CGS COXD VTD | 12.4 нФ/В2 35 нФ/В2 -5 В |
| Qgc | Заряд области затвор-коллектор в состоянии "включено" | ||
| Qg | Общий заряд затвора в состоянии "включено" | ||
| Vg | Напряжение на затворе, при котором измерен заряд Qg | ||
| Vce | Напряжение на коллекторе, при котором измерены Qge, Qgc, Qg | ||
| Ic | Ток коллектора, при котором измерены Qge, Qgc, Qg | ||