Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor
Полевые транзисторы
Паспортные данные полевого транзистора (Junction FET: N-, P-CHANNEL), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.8.
Таблица 5.8. Полевые транзисторы.
| Символы данных | Справочные данные | Параметры модели | |
|---|---|---|---|
| Имя | Значение по умолчанию | ||
| Transconductance (Передаточная проводимость) | |||
| Id, gFS | Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id | BETA ВЕТАТСЕ* RS RD |
0.001 – 0.5 1 Ом 1 Ом |
| Output Conductance (Выходная проводимость) | |||
| Id, gOS | Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id | LAMBDA | 0.01 |
| Transfer Curve (Проходная характеристика) | |||
| Vgs, Id | Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs | VTO VTOTC* |
– 2.5В – 0.0025 |
| Yds | Смещение сток-исток | ||
| Reverse Transfer Capacitance (Проходная емкость) | |||
| Vgs, Crss | Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор-исток Vgs | CGD М РВ FC* |
1 пФ 0.3333 1 0.5 |
| Yds | Смещение сток-исток | ||
| Input Capacitance (Входная емкость) | |||
| Vgs, Ciss | Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор-исток Vgs | CGS | 1 пФ |
| Vds | Смещение сток-исток | ||
| Passive Gate Leakage (Ток утечки затвора в пассивном режиме) | |||
| Vdg, Igss | Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток-затвор Vdg | IS ISR N NR XTI* |
10-15 А 10-12 А 1 2 3 |
| Active Gate Leakage (Ток утечки затвора в активном режиме) | |||
| Vdg, Ig | Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток-затвор Vdg | ALPHA VK |
10-6 100В |
| Id | Ток стока | ||
| Noise Voltage (Уровень внутреннего шума) | |||
| Freq, en | Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу | KF AF* |
10-18 1 |
| Id | Ток стока | ||