Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor
Биполярные транзисторы
В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.
Таблица 5.6. Биполярные транзисторы.
| Символы данных | Справочные данные | Параметры модели | |
|---|---|---|---|
| Имя | Значение по умолчанию | ||
| V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения) | |||
| Vbe | Смещение база-эмиттер в режиме насыщения | IS RB XTI* EG* |
10-5 А 3 Ом 1 11 В |
| Vce | Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения | ||
| Output Admitance (Выходная проводимость) | |||
| Ic, hoe | Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с | VAF | 100 В |
| Vce | Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В | ||
| Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току) | |||
| Ic, hFE | Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В | BF NE ISE XTB* NK* |
100 1.5 0 1.5 0.5 |
| Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер) | |||
| Ic, Vce | Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 | BR NC ISC IKR RC |
1 2 0 0 0 |
| С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база) | |||
| Vcb, Cobo | Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb | CJC VJC MJC FC* |
2 пФ 0.75 В 0.3333 0.5 |
| Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база) | |||
| Veb, Cibo | Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb | CJE VJE MJE |
5 пФ 0.75 В 0.3333 |
| Storage Time (Время рассасывания заряда) | |||
| Ic, ts | Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 | TR | 10 не |
| Gain Bandwidth (Площадь усиления) | |||
| Ic, ГГ | Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В | TF ITF XTF VTF* |
1 НС 1 0 10В |